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蓋世汽車訊 據(jù)外媒報(bào)道，賓夕法尼亞州立大學(xué)（The Pennsylvania State University）和麻省理工學(xué)院（MIT）合作制造出一種新型半導(dǎo)體硒化錫（SnSe）。該半導(dǎo)體厚度僅為幾個(gè)原子，并以不尋常的方式與光相互作用。與當(dāng)前電子產(chǎn)品相比，這種新的半導(dǎo)體可降低計(jì)算和通信新技術(shù)所需的功耗。

圖片來(lái)源：MIT

硒化錫是一種二元化合物，由錫和硒以1:1的比例組成。該新型半導(dǎo)體將有助于開發(fā)稱為“光子學(xué)”的新型電子器件。傳統(tǒng)電子學(xué)使用電子來(lái)存儲(chǔ)、操控和傳輸信息，而該電子器件使用的是光粒子或光子。該材料與光具有特殊的相互作用，使其在電子產(chǎn)品中具有巨大的應(yīng)用潛力。

關(guān)鍵詞： 電子器件 相互作用